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电子元器件详细资料 » IC[28107] » SI7909DN-T1-E3
型号:SI7909DN-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8 双描述:MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C37 毫欧 @ 7.7A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 700µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs24nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装PowerPAK? 1212-8 Dual
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳诚思涵科技有限公司朱先生0755-83015506-23947236
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SI7909DN-T1-E3相关型号

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